![IS64LF12836EC-7.5B3LA3](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61nlp51236b200b3li-2671.jpg)
IS64LF12836EC-7.5B3LA3
165-TBGA
SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync SRAM
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
165-TBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Volatile
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
165
资历状况
Not Qualified
电源
2.5/3.33.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
4.5Mb 128K x 36
端口的数量
4
电源电流
185mA
时钟频率
117MHz
访问时间
7.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
17b
密度
4 Mb
待机电流-最大值
0.1A
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
15mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IS64LF12836EC-7.5B3LA3
165-TBGA
165
Volatile
4 Mb
17 b
7.5ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
165-TBGA
165
Volatile
18 Mb
19 b
7.5ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
165-TBGA
165
Volatile
-
-
3.1ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
165-TBGA
165
Volatile
18 Mb
21 b
3ns
2.5 V
3 (168 Hours)