![IS63WV1288DBLL-10TLI-TR](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-8764.jpg)
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
32
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
电压 - 供电
2.4V~3.6V
端子位置
DUAL
端子间距
1.27mm
资历状况
Not Qualified
电源
2.5/3.3V
内存大小
1Mb 128K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.000055A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
10 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)TechnologyOperating TemperatureMemory Size
-
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
32
Volatile
3 (168 Hours)
SRAM - Asynchronous
-40°C ~ 85°C (TA)
1Mb (128K x 8)
-
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
32
Volatile
3 (168 Hours)
SRAM - Asynchronous
-40°C ~ 85°C (TA)
1Mb (128K x 8)
-
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
32
Volatile
3 (168 Hours)
SRAM - Asynchronous
-40°C ~ 85°C (TA)
1Mb (128K x 8)
-
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
32
Volatile
3 (168 Hours)
SRAM - Asynchronous
-40°C ~ 85°C (TA)
1Mb (128K x 8)
-
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
32
Volatile
3 (168 Hours)
SRAM - Asynchronous
-40°C ~ 85°C (TA)
1Mb (128K x 8)