![IS61QDB22M18-250M3](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61ddb21m18c250m3l-4661.jpg)
IS61QDB22M18-250M3
165-LBGA
IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
1.71V~1.89V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
引脚数量
165
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.89V
电源电压-最小值(Vsup)
1.71V
内存大小
36Mb 2M x 18
端口的数量
2
电源电流
700mA
时钟频率
250MHz
访问时间
7.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
20b
密度
36 Mb
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.71V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.7mm
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
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IS61QDB22M18-250M3
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
20 b
7.5ns
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BOTTOM
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36 Mb
20 b
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BOTTOM
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20 b
4 ns
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36 Mb
21 b
4 ns
1.8 V
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19 b
7.5ns
1.8 V
BOTTOM
IS61QDB22M18-250M3 PDF数据手册
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