![IS61DDB21M36-250M3](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61ddb21m18a300m3l-5014.jpg)
IS61DDB21M36-250M3
165-LBGA
IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
1.71V~1.89V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
引脚数量
165
工作电源电压
1.8V
内存大小
36Mb 1M x 36
端口的数量
1
时钟频率
250MHz
访问时间
4 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
20b
密度
36 Mb
待机电流-最大值
0.2A
I/O类型
COMMON
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageTerminal Position
-
IS61DDB21M36-250M3
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
20 b
4 ns
1.8 V
BOTTOM
-
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
20 b
3.2ns
2.5 V
BOTTOM
-
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
20 b
7.5ns
1.8 V
BOTTOM
-
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
21 b
4 ns
1.8 V
BOTTOM
-
165-LBGA
165
Volatile
36 Mb
19 b
7.5ns
1.8 V
BOTTOM
IS61DDB21M36-250M3 PDF数据手册
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