![IS43DR16320C-25DBLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr16128c25dbli-8053.jpg)
IS43DR16320C-25DBLI
84-TFBGA
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16320C-25DBLI SDRAM, DDR2, 512MBIT, 1.8V, 84BGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
电源电流
295mA
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.013A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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IS43DR16320C-25DBLI
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