![IS43DR16640B-25DBLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/microntechnologyinc-mt47h128m16rt25eitc-8048.jpg)
IS43DR16640B-25DBLI
84-TFBGA
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640B-25DBLI - SDRAM, DDR2, 1GBIT, 1.8V, 84BGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
84-TFBGA
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
84
Volatile
Industrial grade
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
电源电流
240mA
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Gb
待机电流-最大值
0.015A
I/O类型
COMMON
环境温度范围高
85°C
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
12.5mm
高度
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageVoltage - Supply
-
IS43DR16640B-25DBLI
84-TFBGA
84
Volatile
1 Gb
16 b
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
-
84-TFBGA
84
Volatile
1 Gb
16 b
450ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
-
60-TFBGA
60
Volatile
1 Gb
17 b
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
-
60-TFBGA
60
Volatile
1 Gb
17 b
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V