HI5860SOICEVAL1
SOIC
EVALUATION PLATFORM SOIC HI5860
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
SOIC
已出版
1999
零件状态
Active
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
界面
Parallel
比特数
12
采样率
130 Msps
评估套件
Yes
结算时间
35 ns
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
HI5860SOICEVAL1 PDF数据手册
- 数据表 :