![IRFK3D150](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
IRFK3D150
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Power Field-Effect Transistor, 125A I(D), 100V, 0.02ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
No
Transferred
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
125 A
6
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X7
资历状况
Not Qualified
配置
COMPLEX
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-240AA
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
435 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
625 W
环境耗散-最大值
625 W