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IRF721

型号:

IRF721

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • No

  • Transferred

  • INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • 3.3 A

  • 1

  • 150 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.8 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    13 A

  • DS 击穿电压-最小值

    350 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    50 W

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  • 数据表 :