表面安装

YES

终端数量

16

EAR99

8542.39.00.01

High and Low Side

Non-Inverting

Independent

35

25

150

LSTTL|CMOS

10

20

6(Max)

9.5(Min)

600(Max)

2(Min)

1600

-55

125

Under Voltage Lockout

LLCC

LLCC

Surface Mount

3.22(Max)

9.14(Max)

7.49(Max)

18

No Lead

5.29

20 V

INFINEON TECHNOLOGIES AG

220 µs

Active

Infineon Technologies AG

RECTANGULAR

QCCN

260 µs

IR2113E6SCB

No

5 V

NOT SPECIFIED

15 V

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

CHIP CARRIER

QCCN,

Military grade

ECCN 代码

EAR99

类型

IGBT|MOSFET

HTS代码

8542.39.00.01

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

NO LEAD

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

18

JESD-30代码

R-CQCC-N16

输出的数量

2

资历状况

Not Qualified

座位高度-最大

3.22 mm

接口IC类型

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

驱动器数量

2

输出峰值电流限制-名

2 A

电源电压1-额定值

15 V

高边驱动器

YES

电源电压1-最小值

6 V

电源电压1-最大值

420 V

长度

8.955 mm

宽度

7.305 mm

RoHS状态

RoHS non-compliant