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IRS2011SPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Half-Bridge
0.8V 2.7V
20 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IRS2011SPBF
输出的数量
2
输出电压
220V
最大输出电流
1A
电源
15V
电源电流
300μA
功率耗散
625mW
输出电流
1A
最大电源电流
300μA
传播延迟
80 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
20 ns
输入失调电压(Vos)
200V
上升时间
40ns
下降时间(典型值)
35 ns
发布时间
60 ns
上升/下降时间(Typ)
25ns 15ns
接口IC类型
BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
信道型
Independent
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 1A
内置保护器
TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsChannel TypeMax Output CurrentOutput CurrentRise TimeSupply VoltageMax Power Dissipation
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IRS2011SPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
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15 V
625 mW
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200 mA
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8
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350 mA
200 mA
220 ns
15 V
625 mW
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