IRLML2060TRPBF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2A Ta
4.5V 10V
1
1.25W Ta
3.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
480MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
4.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
480m Ω @ 1.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
64pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.67nC @ 4.5V
上升时间
3.8ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.8A
恢复时间
21 ns
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRLML2060TRPBF PDF数据手册
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