规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
53A Tc
10V
1
107W Tc
52 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
55V
峰值回流焊温度（摄氏度）
250
额定电流
53A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
资历状况
Not Qualified
螺纹距离
2.54mm
电压
55V
元素配置
Single
电流
40A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
88W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.5m Ω @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1696pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
76ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
57 ns
连续放电电流(ID)
53A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
双电源电压
55V
恢复时间
101 ns
栅源电压
4 V
高度
8.77mm
长度
10.54mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
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