IRFS3307PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
120A Tc
10V
1
200W Tc
51 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
6.2MOhm
元素配置
Single
功率耗散
200W
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5150pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
180nC @ 10V
上升时间
120ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
63 ns
连续放电电流(ID)
130A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
高度
4.572mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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