IRFS3006PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
118 ns
375W Tc
1
10V
195A Tc
已出版
2008
系列
HEXFET®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
375W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5m Ω @ 170A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8970pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
300nC @ 10V
上升时间
182ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
189 ns
连续放电电流(ID)
270A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0025Ohm
漏源击穿电压
60V
宽度
9.65mm
长度
10.668mm
高度
4.826mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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IRFS3006PBF PDF数据手册
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