IRFP4110PBF
TO-247-3
IRFP4110PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
370W Tc
78 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.5MOhm
端子表面处理
MATTE TIN OVER NICKEL
峰值回流焊温度（摄氏度）
250
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
370W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9620pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
210nC @ 10V
上升时间
67ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
88 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
670A
双电源电压
100V
恢复时间
75 ns
栅源电压
4 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFP4110PBF
Through Hole
TO-247-3
180 A
120A (Tc)
4 V
20 V
370 W
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TO-247-3
120 A
120A (Tc)
4 V
20 V
340 W
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Through Hole
TO-247-3
134 A
120A (Tc)
4 V
20 V
280 W
280W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
90 A
90A (Tc)
4 V
20 V
310 W
310W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
31 A
31A (Tc)
4 V
20 V
180 W
180W (Tc)
IRFP4110PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
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