规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
220W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.2MOhm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
220W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4520pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
上升时间
76ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
77 ns
连续放电电流(ID)
160A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
620A
恢复时间
31 ns
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRFP3306PBF
Through Hole
TO-247-3
160 A
120A (Tc)
4 V
20 V
220 W
220W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
200 A
120A (Tc)
4 V
20 V
280 W
280W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
110 A
110A (Tc)
4 V
20 V
150 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
70 A
70A (Tc)
4 V
20 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
172 A
172A (Tc)
3.7 V
20 V
230 W
230W (Tc)
IRFP3306PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
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