规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
3.7A Ta
10V
1
1W Ta
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
1999
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
45mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
55V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
3.7A
JESD-30代码
R-PDSO-G4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.7A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
双电源电压
55V
恢复时间
82 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
4 V
高度
1.8mm
长度
6.6802mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFL4105TRPBF
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
3.7 A
3.7A (Ta)
4 V
20 V
2.1 W
1W (Ta)
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Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2.8 A
2.8A (Ta)
4 V
20 V
2.1 W
1W (Ta)
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Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
2.8 A
2.8A (Tc)
4 V
25 V
2.1 W
2.1W (Tc)
IRFL4105TRPBF PDF数据手册
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