工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

2.8A Ta

10V

1

1W Ta

22.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

75mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

55V

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.3nC @ 10V

上升时间

13.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

17.7 ns

连续放电电流(ID)

2.8A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.0028A

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

53 ns

栅源电压

4 V

高度

1.4478mm

长度

6.6802mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free