IRFHS9351TRPBF
6-VQFN Exposed Pad
INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-VQFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
6.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.4W
基本部件号
IRFHS9351PBF
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
8.3 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 3.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 10μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.7nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
7.9 ns
连续放电电流(ID)
2.3A
阈值电压
-1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.17Ohm
漏源击穿电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
-1.8 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFHS9351TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :