规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-PowerVDFN
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
9.9A Ta 21A Tc
4.5V 10V
1
2.1W Ta
5.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
13MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
653pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.4nC @ 10V
上升时间
19ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5.3 ns
连续放电电流(ID)
9.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5A
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84A
栅源电压
1.8 V
高度
950μm
长度
2.1mm
宽度
2.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFHS8242TRPBF
Surface Mount
6-PowerVDFN
9.9 A
9.9A (Ta), 21A (Tc)
20 V
2.1 W
2.1W (Ta)
No
Surface Mount
6-PowerVDFN
6 A
6A (Ta), 13A (Tc)
20 V
2.1 W
2.1W (Ta)
No
Surface Mount
6-PowerVDFN
8.8 A
8.8A (Ta), 19A (Tc)
20 V
2.1 W
2.1W (Ta)
No
Surface Mount
6-VQFN
4.5 A
-
12 V
1.5 W
-
No
Surface Mount
6-VQFN Exposed Pad
2.3 A
-
20 V
1.4 W
-
No
IRFHS8242TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :