工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

1

3.6W Ta 156W Tc

2.5V 10V

49A Ta 100A Tc

140 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.95m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10890pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 4.5V

上升时间

74ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

160 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45A

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

长度

5.9944mm

高度

838.2μm

宽度

5mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free