IRLR6225TRPBF
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
2.5V 4.5V
1
63W Tc
63 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
4MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
63W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 21A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3770pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 4.5V
上升时间
37ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
42A
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
栅源电压
800 mV
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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