底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

21A Ta 100A Tc

10V

1

3.6W Ta 114W Tc

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

114W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3090pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0056Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

96 mJ

栅源电压

2 V

高度

838.2μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free