工厂交货时间

12 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

18A Tc

10V

1

100W Tc

16 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

100MOhm

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

100mW

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.3 ns

连续放电电流(ID)

18A

阈值电压

4.9V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

94 mJ

恢复时间

120 ns

栅源电压

4.9 V

高度

9.02mm

长度

10.6426mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free