工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

6.8A 4.6A

2

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

终端形式

GULL WING

基本部件号

IRF9389

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 6.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

398pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

14ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free