IRF9358PBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
146 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
16.3MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
基本部件号
IRF9358PBF
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
5.7 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.3m Ω @ 9.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1740pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
7.2ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
69 ns
连续放电电流(ID)
9.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
73A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
恢复时间
83 ns
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
-1.8 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF9358PBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.2 A
20 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.7 A
20 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.2 A
20 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
10 A
20 V
2.5 W
-
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
10 A
20 V
2.5 W
-
8
IRF9358PBF PDF数据手册
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