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IRF7807VD2TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
8.3A Ta
4.5V
1
2.5W Ta
1.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
8.3A
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
1.2ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
8.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源电阻
25mOhm
最大rds
25 mΩ
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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9.7 A
6.4A, 9.7A
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20 V
2 W
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