IRF7807VD1TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
8.3A Ta
4.5V
1
2.5W Ta
1.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
25MOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
8.3A
配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
1.2ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
2.2 ns
连续放电电流(ID)
8.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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IRF7807VD1TRPBF PDF数据手册
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