规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
10V
1
170W Tc
28 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
1998
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
9mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
40V
额定电流
100A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
170W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
93nC @ 10V
上升时间
114ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
19 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
双电源电压
40V
恢复时间
110 ns
栅源电压
4 V
高度
8.77mm
长度
10.5156mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF1104PBF
Through Hole
TO-220-3
100 A
100A (Tc)
4 V
20 V
170 W
170W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
90 A
90A (Tc)
3 V
20 V
120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
120 A
120A (Tc)
3 V
20 V
208 W
143W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
80A (Ta)
-
20 V
68 W
68W (Tc)
IRF1104PBF PDF数据手册
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