规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
8.7A Tc
10V
1
83.3W Tc
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
83.3W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
420m Ω @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 340μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
上升时间
7ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8 ns
连续放电电流(ID)
8.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏极-源极导通最大电阻
0.42Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
27A
雪崩能量等级（Eas）
227 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
IPW65R420CFDFKSA1
Through Hole
TO-247-3
8.7 A
8.7A (Tc)
20 V
83.3 W
83.3W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
11 A
11A (Tc)
25 V
110 W
110W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
6 A
6A (Tc)
20 V
62.5 W
62.5W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
11.4 A
11.4A (Tc)
20 V
-
104.2W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
12 A
12A (Tc)
20 V
-
93W (Tc)
10V
IPW65R420CFDFKSA1 PDF数据手册
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