IPW65R048CFDAFKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
63.3A Tc
10V
1
500W Tc
85 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
500W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
48m Ω @ 29.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 2.9mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7440pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
270nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4 ns
连续放电电流(ID)
63.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏极-源极导通最大电阻
0.048Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
228A
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IPW65R048CFDAFKSA1
Through Hole
TO-247-3
63.3A (Tc)
63.3 A
20 V
500W (Tc)
500 W
10V
Through Hole
TO-247-3
69A (Tc)
69 A
25 V
400W (Tc)
400 W
10V
Through Hole
TO-247-3
77A (Tc)
77 A
20 V
592W (Tc)
592 W
10V
Through Hole
TO-247-3
46A (Tc)
46 A
20 V
227W (Tc)
227 W
10V
Through Hole
TO-247-3
68A (Tc)
68 A
25 V
446W (Tc)
446 W
10V
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