IPW60R190P6FKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
20.2A Tc
10V
1
151W Tc
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 7.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 630μ
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1750pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
7 ns
连续放电电流(ID)
20.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
0.19Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
57A
雪崩能量等级（Eas）
419 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)Moisture Sensitivity Level (MSL)
IPW60R190P6FKSA1
Through Hole
TO-247-3
20.2 A
20.2A (Tc)
20 V
151W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
Through Hole
TO-247-3
23.8 A
23.8A (Tc)
20 V
176W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
Through Hole
TO-247-3
26 A
26A (Tc)
25 V
190W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
Through Hole
TO-247-3
16.8 A
16.8A (Tc)
20 V
126W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
Through Hole
TO-247-3
23.8 A
23.8A (Tc)
20 V
176W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
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