IPW60R160C6FKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
23.8A Tc
10V
1
176W Tc
96 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
176W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 11.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 750μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1660pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8 ns
连续放电电流(ID)
23.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
雪崩能量等级（Eas）
497 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
IPW60R160C6FKSA1
Through Hole
TO-247-3
23.8 A
23.8A (Tc)
20 V
176 W
176W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
25 A
25A (Tc)
20 V
208 W
208W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
26 A
26A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
-
TO-247-3
-
30A (Tc)
-
-
219W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
20.2 A
20.2A (Tc)
20 V
151 W
151W (Tc)
10V
IPW60R160C6FKSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :