
IPW60R125CPFKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
25A Tc
10V
1
208W Tc
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
25A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
208W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
5ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
25A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
82A
雪崩能量等级(Eas)
708 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
IPW60R125CPFKSA1
Through Hole
TO-247-3
25 A
25A (Tc)
20 V
208 W
208W (Tc)
10V
-
-
TO-247-3
-
20.7A (Tc)
-
-
208W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
26 A
26A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
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TO-247-3
-
21A (Tc)
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192W (Tc)
10V
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PG-TO247-3
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IPW60R125CPFKSA1 PDF数据手册
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- 冲突矿产声明 :