![IPD78CN10NGATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle42744dv50atma1-2638.jpg)
IPD78CN10NGATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
13A Tc
10V
1
31W Tc
13 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
31W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
78m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 12μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
716pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.078Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
雪崩能量等级(Eas)
17 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
IPD78CN10NGATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
13 A
13A (Tc)
20 V
31 W
31W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12.9 A
12.9A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 40W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
16 A
16A (Tc)
20 V
52 W
79W (Tc)
ROHS3 Compliant
IPD78CN10NGATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :