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IRFR3910TRPBF
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
16A Tc
10V
1
79W Tc
37 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
1998
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
115mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
100V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
16A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
52W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
115m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
双电源电压
100V
恢复时间
190 ns
栅源电压
4 V
高度
2.3876mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFR3910TRPBF
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
16 A
16A (Tc)
4 V
20 V
52 W
79W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
17 A
17A (Tc)
2 V
16 V
79 W
79W (Tc)
IRFR3910TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :