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IPD105N03LGATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
38W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
38W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.4 ns
连续放电电流(ID)
35A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
245A
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
IPD105N03LGATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
20 V
38 W
38W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30 A
30A (Tc)
20 V
-
100W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
32 A
10A (Ta), 32A (Tc)
20 V
1.87 W
1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
43 A
13.1A (Ta), 43A (Tc)
20 V
-
1.6W (Ta)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
40A (Tc)
20 V
-
42W (Tc)
±20V
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