IPB80N04S306ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100W Tc
20 ns
1
10V
80A Tc
已出版
2007
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.4m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 52μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3250pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.0054Ohm
雪崩能量等级（Eas）
125 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
93 A
19A (Ta), 93A (Tc)
20 V
80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
Surface Mount
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75 A
75A (Tc)
20 V
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
93 A
19A (Ta), 93A (Tc)
20 V
80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
70 A
70A (Tc)
20 V
58W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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