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IPB050N06NGATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
10V
1
300W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6100pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
167nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0047Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IPB050N06NGATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60V
100 A
100A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
80 A
19A (Ta), 90A (Tc)
20 V
310 W
310W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60V
110 A
110A (Tc)
20 V
160 W
160W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
120 A
120A (Tc)
20 V
230 W
230W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
110 A
110A (Tc)
20 V
160 W
160W (Tc)
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