IPB049NE7N3GATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
150W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
150W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.9m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 91μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4750pF @ 37.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
3.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0049Ohm
DS 击穿电压-最小值
75V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75V
80 A
80A (Tc)
3.1 V
20 V
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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90A (Tc)
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90 A
90A (Tc)
-
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15A (Ta), 80A (Tc)
4 V
20 V
175 W
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-
80 A
80A (Tc)
2.8 V
20 V
150 W
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