IPB014N06NATMA1
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
34A Ta 180A Tc
6V 10V
1
3W Ta 214W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
214W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 143μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7800pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
106nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
14 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
34A
漏极-源极导通最大电阻
0.0014Ohm
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级（Eas）
420 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPB014N06NATMA1
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TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
180 A
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214 W
3W (Ta), 214W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195 A
195A (Tc)
3.7 V
20 V
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375W (Tc)
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
180 A
180A (Tc)
2 V
20 V
300 W
300W (Tc)
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
180 A
180A (Tc)
-
20 V
-
250W (Tc)
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
195 A
195A (Tc)
3.7 V
20 V
-
294W (Tc)
IPB014N06NATMA1 PDF数据手册
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