工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

195A Tc

6V 10V

1

294W Tc

118 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10034pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

279nC @ 10V

上升时间

134ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

93 ns

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

3.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

944A

雪崩能量等级（Eas）

775 mJ

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

No SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free