BSP322PH6327XTSA1
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
1A Tc
4.5V 10V
1
1.8W Ta
21.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.6 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 380μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
372pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.5nC @ 10V
上升时间
4.3ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.3 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-100V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.8Ohm
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
BSP322PH6327XTSA1
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
100V
1 A
1A (Tc)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
1.17 A
1.17A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
1.2 A
1.2A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
100V
-1.1 A
1.1A (Tc)
20 V
2 W
2W (Ta), 3.1W (Tc)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
100V
1.1 A
1.1A (Ta)
20 V
1.79 W
1.79W (Ta)
BSP322PH6327XTSA1 PDF数据手册
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