BSP315PH6327XTSA1
TO-261-4, TO-261AA
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PG-SOT223-4
1.8W Ta
1
4.5V 10V
1.17A Ta
32 ns
系列
SIPMOS®
包装
Cut Tape (CT)
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 1.17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 160μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.8nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
1.17A
阈值电压
-1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-60V
漏极-源极导通最大电阻
0.8Ohm
漏源击穿电压
-60V
双电源电压
-60V
恢复时间
46 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1.5 V
长度
6.5mm
高度
1.8mm
宽度
6.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BSP315PH6327XTSA1 PDF数据手册
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