![BSC061N08NS5ATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-bsz215chxtma1-0031.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
82A Tc
6V 10V
1
2.5W Ta 74W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.1m Ω @ 41A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 41μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
82A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsVgs (Max)Moisture Sensitivity Level (MSL)Gate to Source Voltage (Vgs)TechnologyMounting TypeFET Type
-
BSC061N08NS5ATMA1
8-PowerTDFN
8
±20V
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
Surface Mount
N-Channel
-
8-PowerTDFN
8
±20V
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
Surface Mount
N-Channel
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
±20V
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
Surface Mount
N-Channel
-
8-PowerTDFN
8
±20V
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
Surface Mount
N-Channel
-
8-PowerVDFN
8
±20V
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
Surface Mount
N-Channel
BSC061N08NS5ATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :