BSC060N10NS3GATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
底架
Surface Mount
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
1
125W Tc
45 ns
6V 10V
14.9A Ta 90A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
125W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 90μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4900pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
14.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.006Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360A
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Number of PinsNumber of TerminationsMoisture Sensitivity Level (MSL)Gate to Source Voltage (Vgs)Package / CaseVgs (Max)FET TypeJESD-30 Code
-
BSC060N10NS3GATMA1
8
5
1 (Unlimited)
20 V
8-PowerTDFN
±20V
N-Channel
R-PDSO-F5
-
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BSC060N10NS3GATMA1 PDF数据手册
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- PCN封装 :
- PCN 其他 :
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