BSC046N10NS3GATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
17A Ta 100A Tc
6V 10V
1
156W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
156W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 120μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4500pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.0046Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级（Eas）
350 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
BSC046N10NS3GATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
17A (Ta), 100A (Tc)
17 A
20 V
156 W
156W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
100A (Tc)
20 A
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 156W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
19A (Tc)
-19 A
20 V
3.7 W
3.7W (Ta), 150W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
19A (Ta), 100A (Tc)
19 A
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 125W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
19A (Ta)
19 A
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 160W (Tc)
±20V
BSC046N10NS3GATMA1 PDF数据手册
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