规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
19A Ta
10V
1
3.6W Ta 160W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FASTIRFET™, HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
基本部件号
IRFH7185
JESD-30代码
R-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.2m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2320pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 10V
上升时间
9.9ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3.9 ns
连续放电电流(ID)
19A
阈值电压
3.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0052Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
260A
雪崩能量等级（Eas）
360 mJ
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
950μm
长度
6.15mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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IRFH7185TRPBF
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IRFH7185TRPBF PDF数据手册
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