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BSC050NE2LSATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2.5W Ta 28W Tc
1
4.5V 10V
39A Ta 58A Tc
已出版
2013
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
760pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.4nC @ 10V
上升时间
2.2ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
39A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
60A
漏极-源极导通最大电阻
0.0076Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
DS 击穿电压-最小值
25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
No SVHC
相关型号
- 图片产品型号品牌MountDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
BSC050NE2LSATMA1
Surface Mount
25V
39 A
39A (Ta), 58A (Tc)
2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 28W (Tc)
-
Surface Mount
-
42 A
20A (Ta), 42A (Tc)
1.5 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 78W (Tc)
-
Surface Mount
-
28 A
16A (Ta), 28A (Tc)
2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 48W (Tc)
-
Surface Mount
-
30 A
30A (Ta), 49A (Tc)
1.7 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 89W (Tc)
-
Surface Mount
-
40 A
10A (Ta), 40A (Tc)
2 V
16 V
2.1 W
2.1W (Ta), 30W (Tc)
BSC050NE2LSATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :